{"id":2146,"date":"2021-07-30T21:46:33","date_gmt":"2021-07-30T18:46:33","guid":{"rendered":"https:\/\/www.mikrobotik.com\/wp2\/?p=2146"},"modified":"2022-07-31T13:09:09","modified_gmt":"2022-07-31T10:09:09","slug":"transistorler-nasil-kullanilir","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.mikrobotik.com\/wp2\/2021\/07\/30\/transistorler-nasil-kullanilir\/","title":{"rendered":"Transist\u00f6rler nas\u0131l kullan\u0131l\u0131r."},"content":{"rendered":"

Bu yaz\u0131mda transist\u00f6rlerin temelinden ba\u015flasam da fazla teknik detaya girip form\u00fcllerle kafan\u0131z\u0131 kar\u0131\u015ft\u0131rmayaca\u011f\u0131m. Sitemde anlatt\u0131\u011f\u0131m konular, daha \u00e7ok y\u00fczeysel oldu\u011fundan temel olarak \u00f6\u011frenip, hemen kullanmaya ba\u015flayabilece\u011finiz t\u00fcrden oluyor. Burada da bu durum de\u011fi\u015fmeyecektir.
\nForm\u00fcl vermeyece\u011fim derken en az\u0131ndan OHM kanununu bilmeniz gerek. Ak\u0131m gerilim diren\u00e7 ili\u015fkilerini bilirseniz \u00e7ok daha iyi bir \u015fekilde kullanabilirsiniz.
\nDi\u011fer temel elektronik konular\u0131 hakk\u0131ndaki yaz\u0131lar\u0131m\u0131 okuduktan sonra bu yaz\u0131y\u0131 okuman\u0131z\u0131 tavsiye ederim<\/span><\/strong>. Temel elektronik kategorisindeki<\/strong><\/span> yaz\u0131lar\u0131m buradad\u0131r.<\/strong><\/a>
\nTransist\u00f6rler dedi\u011fimizde bir grup komponent \u00e7e\u015fidinden bahsediyoruz. Bir \u00e7ok \u00e7e\u015fit var. \u0130htiyac\u0131n\u0131za uygun \u015fekilde birini se\u00e7ebilirsiniz.
\nNot:<\/strong><\/span> Konuyu daha iyi anlamak i\u00e7in yaz\u0131y\u0131 okuduktan sonra videolar\u0131 izlerseniz daha faydal\u0131 olacakt\u0131r. Bazen her \u015fey yaz\u0131ya d\u00f6k\u00fclm\u00fcyor. Devre \u00fczerinde anlat\u0131l\u0131rken a\u00e7\u0131klanabiliyor.\u00a0<\/strong><\/span><\/p>\n

\"\"<\/a>
\nYukar\u0131da ana hatlar\u0131yla gruplama tablosu var. Fakat bunun yan\u0131 s\u0131ra IGBT, UJT denilen transistorlar da vard\u0131r. Hatta entegre \u015feklinde transistor array denilen \u00e7oklu transistor \u00e7\u0131k\u0131\u015f\u0131na sahip komponentler de vard\u0131r. \u00d6rnek olarak pop\u00fcler olan ULN2003 entegresini sayabiliriz.
\nBir de bunlar\u0131n d\u0131\u015f\u0131nda opto transist\u00f6r, phototransistor komponentleri de vard\u0131r. Bunlarda Baz ak\u0131m\u0131 \u0131\u015f\u0131k ile elde edilir. I\u015f\u0131\u011f\u0131n yo\u011funlu\u011funa g\u00f6re kolekt\u00f6r \u2013 emet\u00f6r aras\u0131ndan ak\u0131m akmaya ba\u015flar.
\n\u00d6ncelikle BJT denilen, Bipolar junction transistorlerden ba\u015flayal\u0131m.<\/span><\/strong> Bu transistorlar genelde bir \u00e7ok devrede g\u00f6rd\u00fc\u011f\u00fcm\u00fcz transist\u00f6rlerdir. Daha \u00e7ok sinyal devrelerinde kullan\u0131lmakla birlikte, g\u00fc\u00e7 gerektiren yerlerde y\u00fcksek frekans kullan\u0131lan yerlerde de kullan\u0131lmaktad\u0131r. Frekans band\u0131 \u00e7ok y\u00fcksek frekanslara kadar \u00e7\u0131kabilir. Mesela pop\u00fcler olarak kullan\u0131lan BC237 transistoru 100-200Mhz aras\u0131 kullan\u0131labilir. RF transistorlar\u0131 ise \u00e7ok daha y\u00fcksek frekanslara \u00e7\u0131kabilir. Bunun yan\u0131 s\u0131ra g\u00fc\u00e7 gerektiren yerlerde kullan\u0131lan pop\u00fcler 2N3055 transist\u00f6r\u00fc ise 2.5Mhz civar\u0131ndad\u0131r.<\/p>\n

Mosfet ile kar\u015f\u0131la\u015ft\u0131r\u0131rsak,<\/strong><\/span>
\nBJT ler ak\u0131m kontroll\u00fcd\u00fcr. Mosfetler ise gerilim kontroll\u00fcd\u00fcr.
\nBJT transist\u00f6rler genelde d\u00fc\u015f\u00fck g\u00fc\u00e7l\u00fc yerlerde tercih edilir. (Mosfet ler ticari olarak yayg\u0131nla\u015fmadan \u00f6nce y\u00fcksek g\u00fc\u00e7l\u00fc transist\u00f6rler daha \u00e7ok kullan\u0131l\u0131yordu.) Y\u00fcksek g\u00fc\u00e7lere \u00e7\u0131kmak i\u00e7in s\u00fcr\u00fcc\u00fc transist\u00f6rlere ihtiyac\u0131 olacakt\u0131r. Bu da DARLINGTON ba\u011fl\u0131 transistorlar\u0131n kullan\u0131lmas\u0131na neden olmu\u015ftur. Mosfetler Geli\u015ftirme a\u015famas\u0131ndayken, BJT g\u00fc\u00e7 transist\u00f6rleri y\u00fcksek g\u00fc\u00e7 isteyen yerlerde kullan\u0131ld\u0131. Fakat ak\u0131mdan dolay\u0131 y\u00fcksek \u0131s\u0131nmaya sebep oluyordu. Mosfetler ticari olarak kullan\u0131lmaya ba\u015fland\u0131\u011f\u0131nda firmalarda \u0131s\u0131nma sorununu gidermek i\u00e7in MOSFETlere y\u00f6neldiler.
\nYeni G\u00fc\u00e7 devrelerine bakt\u0131\u011f\u0131n\u0131zda daha \u00e7ok MOSFET transistor g\u00f6receksiniz.
\nFakat d\u00fc\u015f\u00fck sinyal devrelerinde hala BJT transist\u00f6rler kullan\u0131lmaktad\u0131r.
\nBJT transist\u00f6rler bir\u00e7ok devrede Mikrokontrolc\u00fc ile direkt olarak kullan\u0131labilir.<\/span>
\nY\u00fcksek g\u00fc\u00e7 BJT transist\u00f6rler i\u00e7in gerekli baz ak\u0131m\u0131n\u0131 sa\u011flamak i\u00e7in s\u00fcr\u00fcc\u00fc transistorlara ihtiya\u00e7 vard\u0131r. Buraya kadar BJT ve MOSFET aras\u0131ndaki fark\u0131 anlatmaya \u00e7al\u0131\u015ft\u0131m.<\/p>\n

BJT transist\u00f6r\u00fcn yap\u0131s\u0131yla ba\u015flayal\u0131m.<\/span><\/strong><\/p>\n

\"\"<\/a>
NPN Ak\u0131m y\u00f6nleri<\/figcaption><\/figure>\n
\"\"<\/a>
PNP Ak\u0131m y\u00f6nleri<\/figcaption><\/figure>\n

 <\/p>\n

 <\/p>\n

 <\/p>\n

 <\/p>\n

 <\/p>\n

Yukar\u0131da g\u00f6rd\u00fc\u011f\u00fcn\u00fcz gibi 3 bacakl\u0131 transistor\u00fcn bacaklar\u0131 \u015fu \u015fekilde isimlendirilir. Bacaklar\u0131n T\u00fcrk\u00e7e isimleri pek kullan\u0131lmaz. Baz\u0131lar\u0131 benim gibi, bu T\u00fcrk\u00e7e isimlerden anlamaz. Baz, Emet\u00f6r, Kolekt\u00f6r kelimeleri pratikte daha \u00e7ok kullan\u0131l\u0131r.
\n1- BAZ (Baz\u2013 kontrol)
\n2- COLLECTOR (Kolekt\u00f6r \u2013 Toplay\u0131c\u0131)
\n3- EMETOR (Emet\u00f6r – Yay\u0131c\u0131)
\nNPN ve PNP olma \u015fekline g\u00f6re baz ucuna uygulanacak gerilimin durumu de\u011fi\u015fir.
\nNPN transist\u00f6rlerde, ortadaki P<\/span> yazan yer Baz ucunu temsil eder.
\nNPN de ak\u0131m y\u00f6n\u00fc<\/span> kolekt\u00f6rden emet\u00f6re do\u011frudur. Kolekt\u00f6r Pozitif uca ba\u011flan\u0131r, Emet\u00f6r ise Negatif uca ba\u011flan\u0131r. Tek kaynakl\u0131 bir devrede +Vcc Kolekt\u00f6re ba\u011flanacakt\u0131r. GND ise Emet\u00f6re ba\u011flanacakt\u0131r.
\nPNP de ise bunun tam tersidir. NPN ve PNP transist\u00f6r \u015feklinde ok y\u00f6n\u00fcne dikkat edin. OK y\u00f6n\u00fc d\u0131\u015far\u0131 do\u011fruysa NPN, i\u00e7eri do\u011fruysa PNP olarak s\u0131n\u0131fland\u0131r\u0131l\u0131r.<\/p>\n

BJT transist\u00f6rler ak\u0131m ile orant\u0131l\u0131 \u00e7al\u0131\u015f\u0131r dedik. Ki bu \u00f6zelli\u011fi ile alan etkili transistorlardan ayr\u0131\u015f\u0131rlar.
\nAk\u0131m orant\u0131l\u0131 dedik. Bu orant\u0131, Ak\u0131m Kazanc\u0131 HFE = beta (\u03b2) ak\u0131m kazanc\u0131 olarak adland\u0131r\u0131l\u0131r. Her ne kadar Transist\u00f6rden ge\u00e7en ak\u0131ma g\u00f6re ak\u0131m kazanc\u0131 yakla\u015f\u0131k hesaplansa da, HFE, transist\u00f6re uygulad\u0131\u011f\u0131m\u0131z gerilimle de orant\u0131l\u0131d\u0131r. Bundan dolay\u0131 datasheet dedi\u011fimiz \u00fcr\u00fcn k\u0131lavuzunda HFE 100-200 gibi bir de\u011fi\u015fim olarak g\u00f6r\u00fcr\u00fcz. Her transist\u00f6rde farkl\u0131 olsa da ayn\u0131 transist\u00f6r\u00fcn farkl\u0131 gerilimlerinde de farkl\u0131l\u0131k g\u00f6sterir. Bizler ise kabaca HFE=Ic \/ Ib olarak ak\u0131m kazanc\u0131n\u0131 hesaplar\u0131z. Pratikte ise HFE yi bulmam\u0131z gerekmiyor.<\/span> Fakat BAZ direncini ve kolekt\u00f6r direncini hesaplarken HFE yi kullan\u0131r\u0131z. Mesela bir transist\u00f6r\u00fcn kolekt\u00f6r ak\u0131m\u0131 20mA olacak dedi\u011fimizde Ib =Ic\/HFE yaparak ne kadar baz ak\u0131m\u0131 akmas\u0131 gerekti\u011fini buluruz. Bu da BAZ direncini ne kadar koymam\u0131z gerekti\u011fini bize s\u00f6yler. Onunda form\u00fcl\u00fc OHM kanununa g\u00f6re V=I * R dir.<\/span> ( yaz\u0131n\u0131n ba\u015f\u0131nda verdi\u011fim Temel elektronik kategorisi yaz\u0131mda bu form\u00fclleri bulabilirsiniz.)
\nBize diren\u00e7 laz\u0131msa O zaman form\u00fcl R=V \/ I ile hesaplan\u0131r. Uygulad\u0131\u011f\u0131m\u0131z gerilim belli, Ak\u0131m Ic form\u00fcl\u00fcnden elde edildi. Sadece direnci bulman\u0131z kald\u0131. Tabii ki bu yakla\u015f\u0131k bir de\u011ferdir. \u00c7\u00fcnk\u00fc HFE yi yakla\u015f\u0131k olarak ald\u0131k. Nereden ald\u0131k Datasheet \u00fcr\u00fcn k\u0131lavuzundaki HFE=100-200 bilgisinden ortalama olarak ald\u0131k. Mesela 150 diyebiliriz.
\nHFE d\u00fc\u015f\u00fck sinyal transist\u00f6rlerinde 1000 civar\u0131na kadar \u00e7\u0131kabilmektedir. G\u00fc\u00e7 transist\u00f6rlerinde d\u00fc\u015f\u00fck olmakla birlikte 20 den y\u00fcksektir. G\u00fc\u00e7 transist\u00f6rlerinin ak\u0131m kazanc\u0131n\u0131 artt\u0131rmam gerekir. Nedeni ise kolekt\u00f6r ak\u0131m\u0131 ne kadar y\u00fcksek ise o kadar y\u00fcksek BAZ ak\u0131m\u0131 gerekecektir. HFE de\u011ferini y\u00fckselterek BAZ ak\u0131m\u0131n\u0131 daha da d\u00fc\u015f\u00fcrebiliriz. Bundan dolay\u0131 DARLINGTON transist\u00f6r ba\u011flama \u015fekli kullan\u0131lmaktad\u0131r.<\/span><\/strong> Darlington ba\u011flant\u0131da kullan\u0131lan s\u00fcr\u00fcc\u00fc transist\u00f6r\u00fcn\u00fcn HFE si ile G\u00fc\u00e7 transist\u00f6r\u00fcn\u00fcn HFE si \u00e7arp\u0131l\u0131r<\/span>. Mesela 3A bir ak\u0131m gerekiyor. G\u00fc\u00e7 transist\u00f6r\u00fcn\u00fcn baz ak\u0131m\u0131, HFE nin 50 oldu\u011funu d\u00fc\u015f\u00fcn\u00fcrsek 3A\/50=0,06A=60mA olmal\u0131. Bunu kontrol edecek entegreden maksimum 20ma alabilece\u011fimize g\u00f6re bu transist\u00f6r\u00fc kontrol edemezdik. A\u015fa\u011f\u0131daki \u015fekilde Darlington ba\u011fland\u0131da s\u00fcr\u00fcc\u00fc olarak HFE si 100 olan bir transist\u00f6r kullanm\u0131\u015f olsak.
\nHFE toplam= HFE1 * HFE2= 100*50=5000 yapard\u0131.
\n\u015eimdi BAZ ak\u0131m\u0131n\u0131 hesaplarsak Ib=IC\/HFEtoplam = 3A\/5000 = 0,6mA=600uA olacakt\u0131. Entegremizle \u00e7ok kolay kontrol edebilirdik.<\/span>
\nDarlington transist\u00f6rde ba\u011flant\u0131y\u0131, isterseniz 2 adet transist\u00f6r kullanarak siz de yapabilirsiniz. \u0130sterseniz de istedi\u011finiz ak\u0131mlara sahip darlington transist\u00f6r kullanabilirsiniz. Hatta r\u00f6le kontrol\u00fcnde pop\u00fcler olarak kullan\u0131lan ULN2003 (Seven Darlington arrays) gibi bir darlington entegresiyle devrenizi kontrol edebilirsiniz.<\/p>\n

\"\"<\/a><\/p>\n

Kolekt\u00f6r ve Emet\u00f6r \u00e7\u0131k\u0131\u015fl\u0131 devreler<\/span><\/strong>
\nBuradaki farkl\u0131l\u0131k \u015fudur.
\nKolekt\u00f6r \u00e7\u0131k\u0131\u015fl\u0131 devrelerde giri\u015f sinyalinin tersi fazda sinyal elde ederiz.
\nEmet\u00f6r \u00e7\u0131k\u0131\u015fl\u0131 devrelerde ise Giri\u015f sinyali ile \u00e7\u0131k\u0131\u015f sinyali ayn\u0131 fazda sinyal al\u0131r\u0131z.
\nDemek istedi\u011fim dijital bir devrede baz ucuna gerilim sa\u011flad\u0131\u011f\u0131n\u0131zda kolekt\u00f6r k\u0131sm\u0131 tam tersi olacak ve GND ye ba\u011flanacakt\u0131r. Emet\u00f6r \u00e7\u0131k\u0131\u015fl\u0131 devrede ise baz gerilimi ve yeterli ak\u0131m sa\u011fland\u0131\u011f\u0131nda emet\u00f6r direnci \u00fczerinden kaynak gerilimini al\u0131rs\u0131n\u0131z.
\nHer iki devrenin avantaj ve dez avantajlar\u0131 olabilir. Kullan\u0131ld\u0131\u011f\u0131 yerler farkl\u0131l\u0131k g\u00f6sterir. Bunu videoda g\u00f6rebileceksiniz.\"\"<\/a>
\nYukar\u0131daki resimde soldaki emet\u00f6re diren\u00e7 baplanan ve diren\u00e7 \u00fczerinden \u00e7\u0131k\u0131\u015f al\u0131nan devre emet\u00f6r \u00e7\u0131k\u0131\u015fl\u0131 dedi\u011fim devredir. Sinyal g\u00f6r\u00fcnt\u00fcs\u00fcnde k\u0131rm\u0131z\u0131 olan giri\u015f sinyalidir. Mavi olan ise emet\u00f6r \u00e7\u0131k\u0131\u015f\u0131d\u0131r. Dikkat ederseniz Giri\u015f sinyali HIGH seviyedeyken Mavi \u00e7\u0131k\u0131\u015f sinyalide HIGH seviyesindedir ve buna ayn\u0131 fazda diyoruz. Ayn\u0131 anda y\u00fckselip ayn\u0131 anda d\u00fc\u015ferler.
\nSa\u011fdaki resim ise Kolekt\u00f6r \u00e7\u0131k\u0131\u015fl\u0131d\u0131r. Bunda ise diren\u00e7 kolekt\u00f6re baplan\u0131r ve \u00e7\u0131k\u0131\u015f kolekt\u00f6r ucundan al\u0131n\u0131r. Sinyalde k\u0131rm\u0131z\u0131 ve sar\u0131 sinyalleri kar\u015f\u0131la\u015ft\u0131r\u0131n. Giri\u015f sinyali HIGH seviyedeyken \u00c7\u0131k\u0131\u015f sinyali ise (SARI) LOW seviyededir. Yani TERS FAZDA diyebiliriz. Giri\u015f y\u00fckselirken \u00e7\u0131k\u0131\u015f d\u00fc\u015fer.
\nBU \u00f6zelli\u011fi sayesinde dijital devrelerde de DE\u011e\u0130L kap\u0131s\u0131 olarak kullan\u0131l\u0131r. Giri\u015f 1 iken \u00c7\u0131k\u0131\u015f 0 d\u0131r.<\/p>\n

Bir de Transist\u00f6rler Analog ve Dijital<\/strong><\/span> kullan\u0131m diye 2 ye ayr\u0131l\u0131r.
\nAnalog sistemlere \u00f6rnek verirsek bunlar ses amplifikat\u00f6rleri olur. Dijital sistemlere \u00f6rnek verecek olursak Anahtarlama olarak kullan\u0131lmas\u0131n\u0131 \u00f6rnek verebiliriz. Ya da LOJ\u0130K devreleri.
\nYani (VE, VEYA ) AND, OR kap\u0131lar\u0131 gibi devreler.<\/p>\n

Hangi transist\u00f6r\u00fc nas\u0131l ve nerede kullanaca\u011f\u0131m<\/span> dedi\u011finizde ise, i\u015fin i\u00e7ine farkl\u0131 kriterler girmektedir.
\nMesela kullanaca\u011f\u0131n\u0131z en y\u00fcksek gerilim ne olacak.
\nMaksimum ak\u0131m ne olmal\u0131,
\nAnalog devremi, Dijital devremi,
\nHFE= Beta (\u03b2) ak\u0131m kazanc\u0131 ne olmal\u0131 gibi kriterler de transist\u00f6r se\u00e7imine dahil olur.
\nEn kolay metot<\/span>, benzer devrelere bak\u0131p, benzer transist\u00f6rleri kullanmak.
\nFakat ger\u00e7ekten tasarlayaca\u011f\u0131m dedi\u011finizde bu kriterleri g\u00f6z \u00f6n\u00fcnde bulundurman\u0131z gerekecektir.<\/p>\n

BJT transist\u00f6rlerin \u00e7al\u0131\u015fma \u015fekline gelirsek,<\/strong><\/span>
\n\u00d6n \u015fart Baz geriliminin Vbe= 0.6-0.7V u ge\u00e7mesi gerekir. \u00c7\u00fcnk\u00fc Baz Emet\u00f6r aras\u0131 bir diyot gibi d\u00fc\u015f\u00fcn\u00fcn. Diyotun iletime ge\u00e7mesi i\u00e7in silisyum diyotsa 0,6V-0,7V civar\u0131ndad\u0131r. Transist\u00f6rler genelde silisyum olarak yap\u0131l\u0131r. Sonras\u0131nda Baz ve emet\u00f6r aras\u0131nda ak\u0131m ak\u0131\u015f\u0131 ba\u015flar. Baz ak\u0131m\u0131n\u0131n HFE dedi\u011fimiz kat say\u0131 ile \u00e7arp\u0131m\u0131 kadar, kolekt\u00f6r \u2013 emet\u00f6r aras\u0131nda ak\u0131m ak\u0131\u015f\u0131 ba\u015flar. K\u0131sacas\u0131 sadece gerilim yetmiyor. Gerilim seviyesi ba\u015flang\u0131\u00e7 sa\u011fl\u0131yor. Sonras\u0131nda her verdi\u011fimiz ak\u0131m de\u011feri kadar, transistor\u00fcn y\u00fcksek olan kolekt\u00f6r \u2013 emet\u00f6r ak\u0131m\u0131n\u0131 kontrol ederiz.
\nKollekt\u00f6r ak\u0131m limiti neresi derseniz<\/span>, DAtasheet\u2019in Collector Current \u2013 Continuous k\u0131sm\u0131 size kolekt\u00f6r \u00fczerinden ge\u00e7ebilecek maksimum ak\u0131m\u0131 verecektir. \u015eayet istedi\u011finiz ak\u0131m daha b\u00fcy\u00fck ise ba\u015fka bir transist\u00f6r kullanabilirsiniz.
\nBurada uyarmak isterim.<\/span> G\u00fc\u00e7 devrelerinde bazen baz ak\u0131m\u0131 yetersiz geldi\u011fi i\u00e7in gerekli ak\u0131m kolekt\u00f6rden ge\u00e7emiyor. Bundan dolay\u0131 BJT Darlington transist\u00f6rler kullan\u0131l\u0131r ya da s\u00fcr\u00fcc\u00fc transist\u00f6rler kullan\u0131l\u0131r.
\nBaz\u0131 yerlerde, NPN ile PNP transistor beraber uyumlu \u00e7al\u0131\u015fmak zorunda kal\u0131rsa ne olur<\/span>. O zaman birbirine \u00f6zde\u015f 2 tip transist\u00f6r bulman\u0131z gerekir. Buna komplementer (Complementary) denir.
\nYani 1 adet NPN transistor, 1 adet de PNP transistor bulurken, ayn\u0131 ak\u0131m de\u011ferlerine ayn\u0131 HFE de\u011ferlerine ayn\u0131 gerilim de\u011ferlerine ve di\u011fer \u00f6zellikler olarak bakarsak birbirine benzer sadece tipi de\u011fi\u015fik transist\u00f6rler laz\u0131md\u0131r. Genelde bunlar Push pull ba\u011flant\u0131 olarak adland\u0131r\u0131lan y\u00fckselte\u00e7 devrelerinde kullan\u0131l\u0131r.
\nBirbirini tamamlayan transistor demektir. Mesela burada ayn\u0131 datasheet i\u00e7inde hem NPN hem de PNP transistorler var. Bunlar beraberce senkron olarak g\u00fczel bir \u015fekilde \u00e7al\u0131\u015fabilecek durumdad\u0131r.
\nhttps:\/\/www.onsemi.com\/pdf\/datasheet\/tip140-d.pdf<\/a><\/p>\n

\"\"<\/a>
Tip140-141-142 NPN transist\u00f6r\u00fcn\u00fcn komplementeri TIP145-146-157 PNP olarak belirlenmi\u015f.<\/span><\/strong><\/figcaption><\/figure>\n

Transist\u00f6rlerin de bir i\u00e7 direnci vard\u0131r.<\/span> Bu k\u00fc\u00e7\u00fck ak\u0131ml\u0131 devrelerde pek fazla sorun olmasa da, y\u00fcksek ak\u0131ml\u0131 devrelerde transist\u00f6r \u00fczerinde bir miktar gerilim kalmas\u0131na ve di\u011fer komponentlerin \u00e7al\u0131\u015fmas\u0131n\u0131n bozulmas\u0131na sebep olacakt\u0131r. Her komponentin i\u00e7 direnci datasheet denilen k\u0131lavuzlarda belli olur. Fakat k\u00fc\u00e7\u00fck sinyallerde g\u00f6z ard\u0131 edilebilece\u011finden k\u00fc\u00e7\u00fck sinyal transist\u00f6rlerinde yazmam\u0131\u015f olsalar da, G\u00fc\u00e7 transist\u00f6rleri y\u00fcksek ak\u0131m \u00e7ekip etkilenece\u011finden i\u00e7 diren\u00e7 de\u011ferini yazarlar.
\nBu i\u00e7 diren\u00e7 bize zararl\u0131 m\u0131?<\/span> Hay\u0131r zarar\u0131 yok. Fakat transist\u00f6r \u00fczerinde gerilim d\u00fc\u015f\u00fcm\u00fc olaca\u011f\u0131ndan di\u011fer komponentlerin \u00e7al\u0131\u015fmamas\u0131 s\u00f6z konusu olabilir. Bunu da videolarda g\u00f6rebilirsiniz<\/span>.<\/p>\n

Transist\u00f6rlerde Bozulma:<\/span><\/strong>
\nTransist\u00f6rler ters ba\u011fland\u0131\u011f\u0131nda, ya da maksimum de\u011ferler a\u015f\u0131ld\u0131\u011f\u0131nda ya da s\u0131cakl\u0131k limitinin ge\u00e7ildi\u011fi ortamlarda bozulurlar. Genelde ise bu bozulma k\u0131sa devre olarak kendini g\u00f6sterir. Genel bir kan\u0131 \u015fudur.<\/span> Yar\u0131 iletken devreler k\u0131sa devre olurlar. Yani transist\u00f6r patlamam\u0131\u015fsa bacaklar aras\u0131nda k\u0131sa devre tespit ederiz ve bozuk deriz. Bu durumlara d\u00fc\u015fmemek i\u00e7in Kolekt\u00f6r ya da Emet\u00f6re kullanaca\u011f\u0131m\u0131z ak\u0131ma uygun diren\u00e7 koymam\u0131z, ya da direnci olan ak\u0131m s\u0131n\u0131rlayabilecek bir komponent koymam\u0131z gerekecektir.<\/p>\n

Not: <\/strong><\/span>Transist\u00f6r entegrelerde kullan\u0131lmaya ba\u015flad\u0131. Teknoloji geli\u015ftik\u00e7e entegre i\u00e7indeki transist\u00f6r say\u0131s\u0131 da artt\u0131. Bu \u015fekilde kapasitesi de artm\u0131\u015f oldu. \u00d6rnek :AMD 64 bit CPU da 39 milyar transist\u00f6r bulunmaktad\u0131r. \u00dcretilen entegrelerdeki Transist\u00f6r adetleri i\u00e7in bu listeye bakabilirsiniz.<\/span> https:\/\/en.wikipedia.org\/wiki\/Transistor_count<\/a><\/strong><\/p>\n

FET transist\u00f6rler kullan\u0131ma ba\u015fland\u0131\u011f\u0131nda Entegre \u00fcretiminde \u00e7ok fazla kullan\u0131ld\u0131lar. Entegre devrelere kolay adapte edilebilmesi, \u0131s\u0131nma az olmas\u0131 ve stabilite, bu kullan\u0131mda \u00f6nemli fakt\u00f6rlerdir.<\/p>\n

Not:<\/span><\/strong> Eski \u015femalarda TUN TUP<\/strong> gibi ibareler g\u00f6r\u00fcrs\u00fcn\u00fcz transistor \u00fcn ad\u0131n\u0131 yazmam\u0131\u015flard\u0131r.
\nTUN anlam\u0131<\/span><\/strong>: Genel ama\u00e7l\u0131 NPN transist\u00f6r demektir.
\nTUP anlam\u0131<\/span><\/strong>: Genel ama\u00e7l\u0131 PNP transist\u00f6r demektir.
\nBir de TUT<\/strong> diye g\u00f6rebilirsiniz. Bunun anlam\u0131 ise Transistor Under Test ( Transist\u00f6r test alt\u0131nda ) demektir. Fakat bunun ba\u015fka anlam\u0131 ise darlington transist\u00f6rlerin \u00e7al\u0131\u015f\u0131rken olabilecek durumlara kar\u015f\u0131 \u00f6nlem al\u0131nmas\u0131 i\u00e7in transist\u00f6r i\u00e7ine yerle\u015ftirilmi\u015f komponentlerdir.\"\"<\/a>
\nBJT Transist\u00f6rler A,B,C<\/span> <\/strong>gibi harflere de sahiptirler. Bunlar\u0131n anlam\u0131 ise, genelde maksimum gerilim fark\u0131, bazen de HFE fark\u0131n\u0131 anlat\u0131r.<\/p>\n

Bacaklar\u0131n\u0131 \u00f6l\u00e7\u00fc aletiyle bulmak ve sa\u011flaml\u0131\u011f\u0131n\u0131 kontrol etmek i\u00e7in Bu linkte g\u00fczel anlat\u0131lm\u0131\u015f.<\/span><\/strong>
\nBu linkten okuyabilirsiniz.\u00a0<\/strong><\/a><\/p>\n

Baz\u0131 transist\u00f6rler de 2 bacak g\u00f6r\u00fcn\u00fcr.<\/span> Bunlar baz ve emet\u00f6r bacaklar\u0131d\u0131r. G\u00f6vde ise kolekt\u00f6r olarak g\u00f6rev yapmaktad\u0131r. 3 bacakl\u0131 g\u00fc\u00e7 transist\u00f6rlerinde so\u011futucu k\u0131sm\u0131 ise kolekt\u00f6r baca\u011f\u0131na ba\u011fl\u0131d\u0131r.
\nBundan dolay\u0131, transist\u00f6rleri ayn\u0131 so\u011futucuda kullanacaksan\u0131z, araya izolat\u00f6r denilen yal\u0131tkan malzemeyi kullanmal\u0131s\u0131n\u0131z ki kolekt\u00f6rler birbirine k\u0131sa devre olmas\u0131n. Bu tip transist\u00f6rlerin bozulmas\u0131na sebep olmamak i\u00e7in ba\u011flant\u0131y\u0131 yapt\u0131ktan sonra ENERJ\u0130 vermeden \u00f6nce \u00f6l\u00e7\u00fc aletiyle k\u0131sa devre var m\u0131 diye kontrol edilir. \u00d6rnek 2N3055 transist\u00f6r.<\/p>\n

\"\"<\/a>
\nYukar\u0131daki resimde en k\u00fc\u00e7\u00fck olan metal k\u0131l\u0131f transist\u00f6rlerde ise kenardaki t\u0131rnak emet\u00f6r ucuna kar\u015f\u0131l\u0131k gelmektedir. Alttan bakt\u0131\u011f\u0131n\u0131zda Metal g\u00f6vdeye k\u0131sa devre g\u00f6r\u00fcnen ise kolekt\u00f6r ucudur.
\nBu tip transist\u00f6rlerin, \u00d6l\u00e7meden de bacaklar\u0131n\u0131 bulabilirsiniz.<\/p>\n

Transist\u00f6r kontroll\u00fc r\u00f6le devrelerinde transistor\u00fc korumak i\u00e7in ters diyot ya da snubber devresi<\/span> konulur. Bunun sebebi ise r\u00f6le bobininden kaynaklanan TERS EMK<\/span> denilen ind\u00fckleme geriliminin tersi y\u00f6nde bir gerilimin ortaya \u00e7\u0131kmas\u0131d\u0131r. Bobin kullan\u0131lan yerlerde bu Ters EMK g\u00f6r\u00fclmektedir. Bunun zarar\u0131 ise verdi\u011finiz gerilimden \u00e7ok daha y\u00fckse\u011fe \u00e7\u0131kabilmesidir. Bu da transist\u00f6r\u00fcn maksimum gerilimini a\u015fan boyuta geldiyse, transist\u00f6r\u00fcn bozulmas\u0131na yol a\u00e7mas\u0131d\u0131r. Devredeki ak\u0131m kesildi\u011finde bobinde, k\u0131sa s\u00fcreli de olsa ters y\u00f6nde bir gerilim olu\u015fur. Bu gerilim verdi\u011finiz gerilimden daha y\u00fcksek olu\u015fur. Bu da transistor \u00fcn bozulmas\u0131na sebep olur. Ters diyot, r\u00f6leye paralel konulur. Fakat r\u00f6leyi de\u011fil, transistor\u00fc korumak i\u00e7indir.<\/span>
\nBu gerilimi \u00f6nlemek i\u00e7in koydu\u011funuz diyot ise transist\u00f6r\u00fcn\u00fcz\u00fc koruyacakt\u0131r. Fakat r\u00f6lenin b\u0131rakma h\u0131z\u0131n\u0131 d\u00fc\u015f\u00fcrecektir. Bu zaman \u00e7ok k\u0131sa olsa da y\u00fcksek anahtarlamada gecikme yaratabilecek bir durumdur.<\/p>\n

\"\"<\/a><\/p>\n

\"\"<\/a><\/p>\n

Yukar\u0131daki grafikte soldaki ters diyot konulmadan \u00e7al\u0131\u015ft\u0131r\u0131ld\u0131\u011f\u0131nda, sa\u011fdaki ise diyot ve 270R diren\u00e7 tak\u0131ld\u0131\u011f\u0131ndaki osilaskop \u015fekilleridir. Dikkat etmeniz gereken nokta ise soldaki sar\u0131 kanal her kare 100V g\u00f6r\u00fcnmesi. Buna g\u00f6re bakarsak 350V civar\u0131na kadar \u00e7\u0131kt\u0131\u011f\u0131n\u0131 hesap edebiliriz. Sa\u011fdakinde ise sar\u0131 kanal her kare 10V olarak g\u00f6sterilmi\u015ftir. Burada 1 kare yani 10V civar\u0131 bir y\u00fckselme olmu\u015ftur.\u00a0 Ters diyot yerine snubber devreleri de kullan\u0131l\u0131r. Bu devreler bir kondansat\u00f6r ve bir diren\u00e7ten olu\u015fur.<\/p>\n

Transist\u00f6rler 3 b\u00f6lgede \u00e7al\u0131\u015f\u0131r.<\/span><\/strong>
\n1-) \u0130letimde.<\/span> ( Bu transist\u00f6r\u00fcn \u00fczerinden maksimum ak\u0131m akmas\u0131 ve kolekt\u00f6r\u00fcndeki gerilimin s\u0131f\u0131ra yak\u0131n olmas\u0131 anlam\u0131ndad\u0131r. Vbe gerilimi ve Ib ak\u0131m\u0131 uygun noktadad\u0131r. Vbe=0.7V veya yukar\u0131 demektir.)
\n2-) Aktif b\u00f6lge.<\/span> ( Bu b\u00f6lge kesim b\u00f6lgesi ile iletim b\u00f6lgesi aras\u0131nda kalan b\u00f6lgedir.)
\n3-) Kesim b\u00f6lgesi.<\/span> ( Bu b\u00f6lgede transist\u00f6r \u00fczerinden ak\u0131m akmaz. IB=0 Vbe=0 olacakt\u0131r.)<\/p>\n

Dijital \u00e7al\u0131\u015fmalarda \u0130letim ve kesim b\u00f6lgesi kullan\u0131l\u0131r. Analog \u00e7al\u0131\u015fmada iletim kesim ve aktif b\u00f6lge kullan\u0131l\u0131r. Bir sin\u00fcs sinyali d\u00fc\u015f\u00fcn\u00fcn. 0V dan yukar\u0131 \u00e7\u0131kmaya ba\u015flad\u0131\u011f\u0131nda Vbe de y\u00fckselecektir. 0V iken kesim b\u00f6lgesinde olan transist\u00f6r gerilim y\u00fckseldik\u00e7e 0.6V-0.7V lara ula\u015f\u0131r.\u00a0 Sin\u00fcs gerilimi daha da y\u00fckseldi\u011finde Vbe gerilimi de y\u00fckselecektir ve ak\u0131mda y\u00fckselecektir. Bu da Transist\u00f6r\u00fc iletime ge\u00e7irecektir. \u0130letime ge\u00e7ti\u011fi ana kadar aktifte ilerleyecektir.
\nDijital \u00e7al\u0131\u015fmada 0V ve 5V verilmektedir. Buna g\u00f6re iletim ve kesime gidecektir.<\/span><\/p>\n

FET (Field Effect Transistor) Transist\u00f6r :<\/span>
\n<\/strong>Alan etkili transist\u00f6r olarak tan\u0131mlan\u0131r. BJT ler bipolar olarak de\u011ferlendirilirdi. Aradaki en b\u00fcy\u00fck fark BJT dedi\u011fimiz bipolar transist\u00f6rlerin ak\u0131mla kontrol edilmesidir. FET teransist\u00f6rlerde gerilim ile ak\u0131m kontrol edilir. K\u0131saca \u015f\u00f6yle de diyebiliriz. Gerilim kontroll\u00fc diren\u00e7.
\n\u00d6rnek vermek gerekirse \u015f\u00f6yle diyebiliriz. BJT transist\u00f6rlerde baz gerilimi 0.6V-1V aras\u0131nda olduktan sonra ge\u00e7ecek her ak\u0131m\u0131n kar\u015f\u0131l\u0131\u011f\u0131 kolekt\u00f6r emet\u00f6r taraf\u0131nda ak\u0131m\u0131n akmas\u0131na sebep olur. Fakat FET transist\u00f6rlerde Gate dedi\u011fimiz kap\u0131ya verece\u011fimiz gerilim, Drain \u2013 Source k\u0131sm\u0131nda ak\u0131m ak\u0131\u015f\u0131na ya da t\u0131kan\u0131kl\u0131\u011fa sebep olur.<\/p>\n

Drain (Drenaj), Source (Kaynak), Gate (Kap\u0131) olarak an\u0131lsa da ben yaz\u0131da ingilizce isimlerini kullanaca\u011f\u0131m. Tavsiyem siz de ingilizce isimlerine g\u00f6re \u00f6\u011frenin.<\/p>\n

FET dedi\u011fimizde en ba\u015ftaki tabloya bakarsak farkl\u0131 FET transist\u00f6r tipleri oldu\u011funu g\u00f6r\u00fcr\u00fcz. \u00d6ncelikle JFET denilen tipe g\u00f6z ataca\u011f\u0131z<\/span>.<\/strong>
\nTablodan da g\u00f6r\u00fcld\u00fc\u011f\u00fc \u00fczere JFET ler Drain source aras\u0131 kapal\u0131 konumdad\u0131r. (DEPLETION MODE= T\u00fckenme modu ) Yani Drain source k\u0131s\u0131mlar\u0131na g\u00fc\u00e7 kayna\u011f\u0131 ba\u011flad\u0131\u011f\u0131n\u0131zda ve GATE ucuna hi\u00e7bir \u015fey ba\u011flamad\u0131\u011f\u0131n\u0131zda, bir butona basm\u0131\u015fs\u0131n\u0131z gibi ak\u0131m akt\u0131\u011f\u0131n\u0131 g\u00f6r\u00fcrs\u00fcn\u00fcz. MOSFET lerde bu durum iki tip olabilmektedir. JFET lerde sadece depletion mod bulunmaktad\u0131r.
\nBu Drain Source aras\u0131 ak\u0131m ak\u0131\u015f\u0131n\u0131 kontrol etmek istersek transist\u00f6r\u00fcn tipine g\u00f6re GATE ucuna negatif ya da pozitif gerilim ba\u011flamam\u0131z laz\u0131m.<\/p>\n

\"\"<\/a><\/p>\n

\"\"<\/a>
\nYukar\u0131daki resimlerden ilki, JFET tiplerini ve onlar\u0131n belirteci OK y\u00f6nlerini g\u00f6sterir. Alttaki resim ise JFET \u00e7al\u0131\u015fmas\u0131n\u0131 g\u00f6stermektedir. Bir kanal var. Bu N ya da P olabilir. Yukar\u0131daki N kanald\u0131r. \u015eayet GATE’e hi\u00e7 bir gerilim uygulanmazsa i\u00e7inden bir ak\u0131m akar. Daha sonra N kanal GATE ucuna negatif bir gerilim uygulan\u0131r. Ortadaki gibi iki P maddesi aras\u0131 kapanmaya ba\u015flar ge\u00e7ebilecek ak\u0131m daha da azal\u0131r. Negatif gerilimi biraz daha artt\u0131r\u0131rsak, Kanal tamamen kapan\u0131r ve ak\u0131m ak\u0131\u015f\u0131 durur.
\nN kanal JFET kullan\u0131yorsan\u0131z GATE gerilimi SOURCE geriliminden daha negatif olmal\u0131. P kanal kullan\u0131yorsan\u0131z GATE gerilimi SOURCE geriliminden daha y\u00fcksek olmal\u0131d\u0131r. Bu polarmaland\u0131rma Proteus \u00f6rneklerinde ve videoda g\u00f6sterildi\u011fi gibi, a\u015fa\u011f\u0131daki resimlerde de g\u00f6r\u00fclmektedir.
\nAyr\u0131ca yukar\u0131daki 2. resimde N kanal i\u00e7erisinde g\u00f6r\u00fcnen ok i\u015fareti kaynaktan \u00e7ekilen ak\u0131m de\u011fil elektron y\u00f6n\u00fcn\u00fc g\u00f6sterir. Kaynaktan ge\u00e7en ak\u0131m olsa + dan \u2013 ye do\u011fru y\u00f6n\u00fc olmas\u0131 gerekirdi.<\/p>\n

\"\"<\/a>
N kanal polarmaland\u0131rma<\/span><\/figcaption><\/figure>\n
\"\"<\/a>
P kanal polarmaland\u0131rma<\/span><\/figcaption><\/figure>\n

 <\/p>\n

 <\/p>\n

 <\/p>\n

 <\/p>\n

Yukar\u0131daki resimlerde Drain Source ve GATE polarmalar\u0131na dikkat edin. P kanalda Hem GATE polaritesi terslenmi\u015f, hem de Drain source u\u00e7lar\u0131ndaki polarite terslenmi\u015ftir.
\nJFET lerin bir i\u00e7 direnci vard\u0131r. Siz datasheet \u00fczerinden bu de\u011ferleri kontrol edebilirsiniz.
\nhttps:\/\/www.datasheet4u.com\/datasheet-pdf\/Siliconix\/2N3970\/pdf.php?id=1124504<\/a><\/strong>
\nMesela 2N3970 30ohm i\u00e7 direnci vard\u0131r. Burada 20V luk bir Vds gerilimi uyguland\u0131\u011f\u0131nda hi\u00e7bir diren\u00e7 yoksa OHM kanununa g\u00f6re akabilecek maksimum ak\u0131m=666mA dir. Fakat transist\u00f6r \u00fczerinde kanal\u0131n b\u00fcy\u00fckl\u00fc\u011f\u00fcne ba\u011fl\u0131 olarak ge\u00e7ebilece\u011fi maksimum ak\u0131m vard\u0131r. Bu da hesaplanan de\u011fer yani 666mA de\u011fil, g\u00fcvenli bir ak\u0131m olan bu transist\u00f6re g\u00f6re 150mA dir. Bu da datasheet \u00fczerinde belirtilmi\u015ftir.<\/p>\n

\"\"<\/a><\/p>\n

Yukar\u0131daki resimde en alt sat\u0131rda Vds=20V ve Vgs=0V olan transistor\u00fcn minimum ve maksimum ge\u00e7ebilecek ak\u0131m\u0131 g\u00f6rebilirsiniz.
\nPeki biz uygulamam\u0131z da 220R diren\u00e7 bir de led koyduk. Yakla\u015f\u0131k 10mA Ids ak\u0131m\u0131 \u00f6ng\u00f6rd\u00fck. O zaman transistor\u00fcn DS aras\u0131nda kalan gerilimi hesaplamam\u0131z laz\u0131m.
\nNot: <\/span>seri devrede t\u00fcm diren\u00e7ler \u00fczerindeki ak\u0131m sabittir. Bu kurala g\u00f6re transist\u00f6r\u00fcn \u00fczerinden de 10mA ak\u0131m akacakt\u0131r. Ve \u00fczerinde kalacak olan gerilim ise 10ma*30R= 0,3V olacakt\u0131r. G\u00f6z ard\u0131 edilebilir bir seviyededir.
\nNot:<\/span> JFET ler daha \u00e7ok d\u00fc\u015f\u00fck g\u00fc\u00e7l\u00fc devrelerde kullan\u0131l\u0131r. Mosfetler ise y\u00fcksek g\u00fc\u00e7 devrelerinde daha s\u0131kl\u0131kla kullan\u0131l\u0131r.
\nJFET ‘lerin Avantajlar\u0131<\/span><\/strong>
\nJFET, basit yap\u0131s\u0131 ve imalat\u0131 nedeniyle daha uzun \u00f6mre ve y\u00fcksek verimlili\u011fe sahiptir
\nJFET’ler anahtar olarak kullan\u0131ld\u0131klar\u0131nda sapma gerilimleri yoktur.
\nJFET’ler bipolar transist\u00f6rlere g\u00f6re daha az parazit ile (g\u00fcr\u00fclt\u00fc) \u00e7al\u0131\u015f\u0131rlar.
\nJET’lerin s\u0131cakl\u0131k kararl\u0131l\u0131klar\u0131 y\u00fcksektir, yani s\u0131cakl\u0131k de\u011fi\u015fimlerinden az etkilenirler.
\nJFET’lerin g\u00f6vdeleri k\u00fc\u00e7\u00fck oldu\u011fundan entegrelerde \u00e7ok kullan\u0131l\u0131rlar.
\nAnahtarlama durumlar\u0131 d\u0131\u015f\u0131nda ak\u0131m t\u00fcketmemeleri ve daha h\u0131zl\u0131 anahtarlama h\u0131zlar\u0131na sahip olmalar\u0131d\u0131r.<\/p>\n

JFET ‘lerin Dezavantajlar\u0131<\/strong>
\nJFET’lerin dezavantaj\u0131 \u00e7al\u0131\u015fabildikleri frekans aral\u0131\u011f\u0131n\u0131n (bant geni\u015fli\u011fi) dar olmas\u0131 ve \u00e7abuk hasar g\u00f6rebilmeleridir.
\nMosfetler ve JFET’ler aras\u0131ndaki en \u00f6nemli fark da mosfetlerin bant geni\u015fli\u011finin \u00e7ok daha fazla olmas\u0131d\u0131r.<\/p>\n

MOSFET Transist\u00f6rler :<\/span>
\n<\/strong>Bu da FET t\u00fcr\u00fc alan etkili transistor d\u00fcr. Metal oksit FET olarak adland\u0131r\u0131l\u0131r. Bu tip FET transist\u00f6rler \u00e7al\u0131\u015fma modu olarak 2 ayr\u0131 tiptir. (Yaz\u0131n\u0131n en ba\u015f\u0131ndaki tabloya bak\u0131n\u0131z.) JFETler sadece DEPLETION mode (T\u00fckenme modu) da \u00e7al\u0131\u015f\u0131rken MOSFET ler Hem DEPLETION hem de ENHANCEMENT mode da (Geli\u015ftirme modunda ) \u00e7al\u0131\u015f\u0131r.<\/p>\n

\u00d6ncelikle Mosfetlerin sembollerine bakal\u0131m.<\/span>
\nMOSFET SEMBOLLER\u0130 RESM\u0130. Hem depletion hem de enhancement sembolleri
\nAk\u0131lda kal\u0131c\u0131 olmas\u0131 i\u00e7in N ch. Ve P ch ok y\u00f6nlerini \u015f\u00f6yle d\u00fc\u015f\u00fcnebiliriz. BJT tip transist\u00f6rlerin TAM TERS\u0130 y\u00f6nlere bakacakt\u0131r.<\/p>\n

\"\"<\/a>
\nYukar\u0131daki resimde g\u00f6r\u00fcld\u00fc\u011f\u00fc gibi OK y\u00f6nleri N kanal ve P kanal\u0131 g\u00f6steriyor. OK y\u00f6n\u00fc d\u0131\u015far\u0131 do\u011fruysa P kanal olarak adland\u0131r\u0131yoruz. BJT transist\u00f6rlerde ise ok d\u0131\u015far\u0131 do\u011fruysa NPN olarak alg\u0131l\u0131yorduk. Yani birbirinin tersi y\u00f6nde adland\u0131r\u0131l\u0131r.
\nYukar\u0131daki sembollere dikkatli bakt\u0131\u011f\u0131n\u0131zda DEPLETION ve ENHANCEMENT mod ayr\u0131m\u0131n\u0131 da g\u00f6rebilirsiniz.
\nDepletion (T\u00fckenme modu) <\/span>Drain source u\u00e7lar\u0131na g\u00fc\u00e7 kayna\u011f\u0131 ba\u011flad\u0131\u011f\u0131n\u0131zda Drain Source aras\u0131ndan hemen ak\u0131m akmaya ba\u015flar. Bu yukar\u0131daki 2. \u015fekilde Ok lar\u0131n ba\u011fl\u0131 oldu\u011fu \u00e7izgilerin kesiksiz oldu\u011funu g\u00f6rebilirsiniz.
\nEnhancement (geli\u015ftirme ) Modu :<\/span> Bunlarda resimdeki \u00fcst k\u0131s\u0131mda g\u00f6rd\u00fc\u011f\u00fcn\u00fcz gibi kesik \u00e7izgilerle tan\u0131mlanm\u0131\u015ft\u0131r. Bu mod Mosfetlerde Drain source aras\u0131na g\u00fc\u00e7 kayna\u011f\u0131 ba\u011flad\u0131\u011f\u0131n\u0131zda Drain source aras\u0131ndan AKIM AKMAZ. Sadece GATE gerilimiyle ak\u0131m akmaya ba\u015flar.<\/p>\n

Sembollerde \u00e7e\u015fitlilik vard\u0131r. Bir \u00e7ok standart oldu\u011fundan akl\u0131m\u0131z kar\u0131\u015fabilir. Bu kar\u0131\u015f\u0131kl\u0131\u011fa \u00e7\u00f6z\u00fcm getirmek i\u00e7in Bu sayfaya bakabilirsiniz.
\nhttps:\/\/www.circuitbread.com\/tutorials\/how-to-read-a-mosfet-symbol<\/a><\/strong><\/p>\n

\"\"<\/a>
\nYukar\u0131daki resimde g\u00f6sterilen sembolde i\u015faretli yerdeki ok y\u00f6n\u00fc ters g\u00f6r\u00fcnmektedir. Bu da IEEE Standard oldu\u011fu s\u00f6yleniyor. Buradaki Ok y\u00f6n\u00fc ters olmakla birlikte bulundu\u011fu yer kenardad\u0131r. Bu da \u015femalar\u0131 incelerken akl\u0131n\u0131zda tutman\u0131z gereken bir konudur.<\/span>
\nMosfet \u00fcreticilerinin baz\u0131lar\u0131 ise Ters diyot eklenmi\u015f veya ters diyot eklenmemi\u015f \u00fcr\u00fcnler piyasaya \u00e7\u0131kar\u0131yorlar. Bunlar\u0131n sembollerine bakt\u0131\u011f\u0131n\u0131zda a\u015fa\u011f\u0131daki \u015fekillerdedir.<\/p>\n

\"\"<\/a><\/p>\n

Yukar\u0131daki resme dikkat ederseniz ters diyotun y\u00f6n\u00fcn\u00fc g\u00f6rebilirsiniz. Bu diyot ters polarmaland\u0131r\u0131l\u0131r. Zaten Mosfetin tipine g\u00f6re Drain +VCC olacaksa diyot da ters polarmaland\u0131r\u0131lm\u0131\u015f demektir.
\nN kanal ve P kanal devrelerine g\u00f6z atarken bu a\u00e7\u0131dan da bakman\u0131z\u0131 \u00f6neririm.<\/span><\/p>\n

\u00d6rnek devrelere bakarsak depletion ve enhancement modlar\u0131n nas\u0131l \u00e7al\u0131\u015ft\u0131\u011f\u0131n\u0131 g\u00f6rebilirsiniz.<\/p>\n

\"\"<\/a>
\n\"\"<\/a><\/p>\n

 <\/p>\n

Yukar\u0131daki resimlere bakarsak Enhancement mod da GATE gerilimi yokken ak\u0131m akmad\u0131\u011f\u0131 g\u00f6r\u00fclmektedir. Yani anahtar olarak d\u00fc\u015f\u00fcn\u00fcrsek A\u00c7IK anahtar olarak s\u00f6yleyebiliriz. Depletion mod da ise tam tersi. GATE gerilimi olmasa da Drain Source aras\u0131nda ak\u0131m akar. GATE gerilimiyle bu ak\u0131m kesilir.<\/p>\n

IGBT Nedir:<\/strong><\/span>
\nIGBT’yi BJT ve MOSFET aras\u0131nda bir birle\u015fim olarak d\u00fc\u015f\u00fcnebilirsiniz. Bu bile\u015fenler bir BJT’nin \u00e7\u0131k\u0131\u015f \u00f6zelliklerine ve bir MOSFET’in giri\u015f \u00f6zelliklerine sahiptir.
\nSembol ve i\u00e7 yap\u0131s\u0131 bu \u015fekildedir.<\/p>\n

\"\"<\/a><\/p>\n

\"\"<\/a>
\nIGBT hakk\u0131nda T\u00fcrk\u00e7e yaz\u0131lm\u0131\u015f bu sitede \u00e7ok g\u00fczel anlat\u0131lm\u0131\u015f.<\/strong><\/span>
\nBu linkten detayl\u0131 bilgi edinebilirsiniz.<\/a><\/strong><\/p>\n

UJT Transist\u00f6r :<\/strong><\/span>
\nUnijunction transistor veya K\u0131saca UJT, anahtarlama ve kontrol eleman\u0131 olarak kullan\u0131l\u0131r.Devre olarak, osilat\u00f6r ve tetikleme devrelerinde kullan\u0131l\u0131r.
\n3 Bacakl\u0131 transist\u00f6r gibi g\u00f6r\u00fcn\u00fcr. AC g\u00fc\u00e7 kontrol tipi uygulamalarda trist\u00f6r, triyak gibi elemanlar\u0131n tetiklenmesinde kullan\u0131l\u0131rlar. Bu \u00f6zellikleriyle AC motor kontrol ya da lamba kontrol gibi devrelerde kontrol eleman\u0131 olarak kullan\u0131l\u0131r.
\nDiyotlar gibi, UJT Transist\u00f6r\u00fcn, ana iletken N-tipi kanal\u0131 i\u00e7inde tek bir\u00a0 PN-ba\u011flant\u0131s\u0131 olu\u015fturan ayr\u0131 P-tipi yar\u0131 iletken malzemelerden yap\u0131l\u0131r. ( Uni-Junction ad\u0131 buradan gelir.)
\nUJT bir transist\u00f6r ismine sahip olmas\u0131na ra\u011fmen, bir sinyali y\u00fckseltmek i\u00e7in kullan\u0131lamad\u0131\u011f\u0131ndan, bunun yerine bir ON-OFF anahtarlama transist\u00f6r\u00fc olarak kullan\u0131l\u0131r, anahtarlama \u00f6zellikleri ile de geleneksel bipolar veya alan etkili transist\u00f6r\u00fcnkinden \u00e7ok farkl\u0131d\u0131r.
\nDaha \u00e7ok relaxtion( gev\u015femeli) osilat\u00f6r devresi olarak veya bir tetikleme eleman\u0131 olarak kullan\u0131l\u0131r. Bacak yap\u0131s\u0131 E, B1, B2 tipindedir. N kanal ve P kanal olarak 2 t\u00fcr \u00fcretilmektedir.<\/span><\/p>\n

\"\"<\/a><\/p>\n

\"\"<\/a>
Trist\u00f6r tetikleme devresi. AC devrelerde trist\u00f6r ile lamba, motor vs. kontrol edilir. Trist\u00f6r AC devrede devaml\u0131 GATE tetiklemesine ihtiya\u00e7 duyar. Bundan dolay\u0131 PWM gibi devaml\u0131 bir sinyal ile tetiklenmesi gerekir. P1 pot’u ile \u015farj s\u00fcresini ayarlayabiliyoruz dolay\u0131s\u0131yla frekans\u0131 de\u011fi\u015ftirebiliyoruz. R3 i\u00e7in POT koyarak De\u015farj s\u00fcresini de ayarlayabiliriz. Bu durumda pwm gibi davran\u0131p motor h\u0131z\u0131n\u0131 ayarlayabiliriz. Ya da lamban\u0131n parlakl\u0131\u011f\u0131n\u0131 ayarlayabiliriz.<\/span><\/figcaption><\/figure>\n

\"\"<\/a><\/p>\n

\"\"<\/a><\/p>\n

Yukar\u0131daki devrede P1 pot ile C1 kondansat\u00f6r\u00fcn\u00fcn \u015farj edilmesi sa\u011flan\u0131r. Bu ayar ayn\u0131 zamanda frekans\u0131 da belirler. Bu \u015farj UJT nin PN birle\u015fiminin tetiklenme gerilimine ula\u015ft\u0131\u011f\u0131nda C1 kondansat\u00f6r\u00fc UJT iletime ge\u00e7ti\u011fi i\u00e7in B2 ucu ve R3 direnci \u00fczerinden de\u015farj olur. Bu \u015fekilde Emet\u00f6r ucundaki gerilim d\u00fc\u015fer ve C1 yeniden \u015farj olmaya ba\u015flar bu da a\u015fa\u011f\u0131daki grafikteki gibi bir tetikleme olu\u015fturur. Osilat\u00f6r\u00fcn frekans\u0131n\u0131 yani \u015farj s\u00fcresini ayarlad\u0131\u011f\u0131m\u0131z gibi R3 direncini pot kullanarak de\u015farj s\u00fcresini de ayarlayabiliriz.
\nVideoda proteus \u00fczerinde bunu g\u00f6rebilirsiniz. Trist\u00f6r tetiklemesi ve transist\u00f6r tetiklemesi farkl\u0131 olaca\u011f\u0131ndan de\u015farj s\u00fcresini kullanarak ve frekansa g\u00f6re b\u00fcy\u00fck kapasiteli bir kondansat\u00f6r kullanarak transist\u00f6rl\u00fc dijital devreleri de kontrol edebiliriz.
\nOlduk\u00e7a kararl\u0131 bir yap\u0131s\u0131 oldu\u011fundan y\u00fcksek frekanslara kadar kararl\u0131 bir \u015fekilde \u00e7al\u0131\u015fabilmektedir. Tabii ki devrede kullan\u0131lacak kondansat\u00f6rlerinde y\u00fcksek frekanslarda kullan\u0131labilecek kararl\u0131l\u0131kta kaliteli olmas\u0131 beklenir.
\nKullan\u0131ld\u0131\u011f\u0131 yerler aras\u0131nda alarm devreleri de bulunmaktad\u0131r. \u00d6rnek devre olarak, bu linkten org \u015femas\u0131na ula\u015fabilirsiniz.<\/a>\u00a0<\/strong>
\nDe\u011fi\u015fik UJT devreleri i\u00e7in Link :<\/strong><\/a><\/p>\n

Phototransistor OPTO transistor.:<\/strong><\/span>
\nOpto-Transist\u00f6r<\/span><\/strong> dedi\u011fimiz entegrelerin i\u00e7 \u015femas\u0131na bakt\u0131\u011f\u0131m\u0131zda bir led’in yayd\u0131\u011f\u0131 \u0131\u015f\u0131k \u015fiddetinin transistor \u00fcn baz ucuna gelmesiyle kontrol sa\u011fland\u0131\u011f\u0131n\u0131 g\u00f6rebiliriz. A\u015fa\u011f\u0131daki resimlerde bu tip opto transist\u00f6rlerin 2 \u00e7e\u015fit oldu\u011funu g\u00f6rebilirsiniz. Opto transist\u00f6rlerin baz\u0131lar\u0131nda 4 bacak baz\u0131lar\u0131nda 6 bacak vard\u0131r. 4 bacak olanlarda led i\u00e7in 2 bacak, transistor \u00fcn kolekt\u00f6r ve emet\u00f6r\u00fcn\u00fcn ba\u011fland\u0131\u011f\u0131 2 bacak vard\u0131r. Bu tip devrelerde \u0131\u015f\u0131k \u015fiddeti ile transist\u00f6r anahtar g\u00f6revi g\u00f6recektir.<\/p>\n

\"\"<\/a>
\n6 bacakl\u0131 optotransist\u00f6r devrelerinde transistor \u00fcn baz ucu da vard\u0131r. Bu baz ucundaki hassasiyeti artt\u0131rmak i\u00e7indir. Daha k\u00fc\u00e7\u00fck de\u011fi\u015fimleri takip edebilmek m\u00fcmk\u00fcn olmaktad\u0131r.<\/p>\n

\"\"<\/a>
\nBu \u00f6rnekte, opto transist\u00f6rlerin baz b\u00f6lgesinin hassasiyetini kontrol etmek i\u00e7in harici olarak ba\u011fl\u0131 270k\u03a9 diren\u00e7 kullan\u0131l\u0131r. Direncin de\u011feri, se\u00e7ilen opto transist\u00f6r entegresine ve gereken anahtarlama hassasiyeti miktar\u0131na uyacak \u015fekilde se\u00e7ilebilir. Kondansat\u00f6r, opto-transist\u00f6r taban\u0131n\u0131 yanl\u0131\u015f tetiklemeden kaynaklanan istenmeyen ani y\u00fckselmeleri veya ge\u00e7ici olaylar\u0131 durdurur.<\/p>\n

Phototransistor (fototransist\u00f6r) :<\/span><\/strong>
\nBir fototransist\u00f6r, t\u0131pk\u0131 bir fotodiyot gibi fotonlar\u0131 do\u011frudan \u015farja d\u00f6n\u00fc\u015ft\u00fcr\u00fcr ve buna ek olarak bir fototransist\u00f6r de ak\u0131m kazanc\u0131 sa\u011flar.
\nFototransist\u00f6r\u00fcn sembol\u00fc a\u015fa\u011f\u0131da g\u00f6sterilmi\u015ftir.<\/p>\n

\"\"<\/a>
\nFototransist\u00f6rler Normal BJT transist\u00f6rler gibidir. BAZ ve kolekt\u00f6r birle\u015fimi \u0131\u015f\u0131kla \u00e7al\u0131\u015ft\u0131\u011f\u0131ndan daha b\u00fcy\u00fckt\u00fcr. Gelen I\u015eIK fotonlar\u0131 transistor \u00fcn \u00fczerinde bir \u015farj etkisi yapar ve transist\u00f6r de bir ak\u0131m kazanc\u0131 olu\u015fturur.
\nBir fototransist\u00f6r\u00fcn \u00e7al\u0131\u015fma prensibi, bir y\u00fckseltici transist\u00f6r ile birlikte bir fotodiyot ile benzerdir. Bir fototransist\u00f6r\u00fcn BAZ\u0131ndaki \u0131\u015f\u0131k olay\u0131, k\u00fc\u00e7\u00fck bir ak\u0131m\u0131 sa\u011flayacakt\u0131r.
\nBu ak\u0131m daha sonra normal transist\u00f6r eylemi ile g\u00fc\u00e7lendirilir. Genellikle, benzer bir fotodiyot ile kar\u015f\u0131la\u015ft\u0131r\u0131ld\u0131\u011f\u0131nda, bir fototransist\u00f6r, bir fotodiyotun 50 ila 100 kat\u0131 aras\u0131nda bir ak\u0131m sa\u011flayabilir.
\n\u0130\u00e7 piyasam\u0131zda bulunan fototransist\u00f6rlerden birinin datasheetini incelemek isterseniz buradan inceleyebilirsiniz.<\/a><\/strong> https:\/\/www.vishay.com\/docs\/81549\/teft4300.pdf<\/p>\n

Fototransist\u00f6rler 2 bacak ve 3 bacakl\u0131 olabilir. 2 bacakl\u0131 olanda kolekt\u00f6r emet\u00f6r varken, 3 bacakl\u0131 olanda baz baca\u011f\u0131da mevcuttur. Optotransist\u00f6rde anlat\u0131ld\u0131\u011f\u0131 gibi kullanabilirsiniz. Ya da normal transist\u00f6r gibi kullanabilirsiniz.
\n3 bacakl\u0131 fototransist\u00f6r \u00f6rnek datasheet :<\/span> FPT110_phototransistor_FairchildSemiconductor.pdf<\/a>\u00a0<\/strong>
\nBaz terminaline yeterli \u0131\u015f\u0131k d\u00fc\u015ft\u00fc\u011f\u00fcnde, \u0131\u015f\u0131\u011f\u0131n yo\u011funlu\u011fu ile orant\u0131l\u0131 bir baz ak\u0131m\u0131 \u00fcretilir.
\nBaz ak\u0131m daha sonra y\u00fckseltme s\u00fcrecini ve y\u00fcksek kazan\u00e7l\u0131 bir kollekt\u00f6r ak\u0131m\u0131n\u0131 tetikleyecektir.<\/p>\n

\"\"<\/a>
\nYukar\u0131daki e\u011fride, \u0131\u015f\u0131\u011f\u0131n yo\u011funlu\u011fu artt\u0131k\u00e7a kollekt\u00f6r ak\u0131m\u0131n\u0131n da artt\u0131\u011f\u0131 a\u00e7\u0131kt\u0131r.
\nBir Fototransist\u00f6r se\u00e7erken, fototransist\u00f6r\u00fcn en iyi \u015fekilde kullan\u0131labilmesi i\u00e7in dikkate al\u0131nmas\u0131 gereken birka\u00e7 \u00f6zellik vard\u0131r.
\n\u00d6nemli \u00f6zelliklerden baz\u0131lar\u0131 \u015funlard\u0131r:<\/span>
\n\u2022 dalga boyu
\n\u2022 do\u011frusall\u0131k
\n\u2022 Duyarl\u0131l\u0131k
\n\u2022 Tepki S\u00fcresi
\n\u2022 Boy
\n\u2022 Maliyet
\nBurada dalgaboyu \u00f6nemlidir. Hangi dalga boyuna g\u00f6re \u00fcretildiyse o dalgaboyunda y\u00fcksek kazan\u00e7 sa\u011flayacakt\u0131r. G\u00fcne\u015f \u0131\u015f\u0131\u011f\u0131nda t\u00fcm dalga boylar\u0131 mevcut burada problem \u00e7\u0131kmazken 950nm lik bir fototransist\u00f6r\u00fcn normal ampul \u0131\u015f\u0131\u011f\u0131nda kullanmak do\u011fru olmayabilir. Bu tip dalga boyundaki \u00fcr\u00fcnler IR ledlerle kullan\u0131lmak i\u00e7in tasarlanm\u0131\u015ft\u0131r. G\u00f6r\u00fcnen \u0131\u015f\u0131k tayf\u0131nda bulunan fototransist\u00f6rler genel ama\u00e7l\u0131 kullan\u0131labilir.
\nDo\u011frusall\u0131k derken \u0131\u015f\u0131\u011f\u0131n art\u0131\u015f oran\u0131na uygun bir ak\u0131m ak\u0131\u015f\u0131 olacakt\u0131r. Logaritmik de\u011fildir yani \u0131\u015f\u0131\u011f\u0131n do\u011frusal de\u011fi\u015fiminde de\u011fi\u015fken bir \u00e7\u0131k\u0131\u015f ak\u0131m\u0131 olmayacakt\u0131r. 1 birim geldi\u011finde 2 birim \u00e7\u0131k\u0131yorsa 2 birim geldi\u011finde 6 birim \u00e7\u0131kmayacakt\u0131r. Anlam\u0131na gelir.
\nDuyarl\u0131l\u0131k ise gelen \u0131\u015f\u0131\u011f\u0131n miktar\u0131na g\u00f6re ne kadar \u00e7\u0131k\u0131\u015f ak\u0131m\u0131 \u00fcretece\u011fine ba\u011fl\u0131d\u0131r. Tepki s\u00fcresi de \u0131\u015f\u0131\u011f\u0131n gelmesi ile \u00e7\u0131k\u0131\u015f ak\u0131m\u0131n\u0131n de\u011fi\u015fimi aras\u0131ndaki zaman fark\u0131d\u0131r.
\nBu tepki s\u00fcresinden dolay\u0131 normal transist\u00f6rlerden daha yava\u015f \u00e7al\u0131\u015f\u0131r. Frekans band\u0131 daha d\u00fc\u015f\u00fckt\u00fcr.<\/p>\n

Ayr\u0131ca FOTO DARL\u0130NGTON transist\u00f6rlerde bulunmaktad\u0131r. Bunlar\u0131n tepki s\u00fcresi daha yava\u015f olmakla birlikte kolekt\u00f6r ak\u0131m\u0131 ve kollekt\u00f6r ve emiter aras\u0131nda tek bir transist\u00f6rden \u00e7ok daha y\u00fcksek bir gerilimine sahiptir.. FotoDarlington olanlar 20Khz den d\u00fc\u015f\u00fck \u00e7al\u0131\u015f\u0131lacak ve ak\u0131m\u0131 y\u00fcksek olan yerlerde tercih edilmelidir.
\nYa da kendiniz normal fototransist\u00f6r ile g\u00fc\u00e7 transistor \u00fcn\u00fc s\u00fcrebilirsiniz. Darlington ba\u011flant\u0131 gibi. Tepki s\u00fcresinden kazanc\u0131n\u0131z olur. Daha y\u00fcksek frekanslarda \u00e7al\u0131\u015fabilirsiniz.<\/p>\n

\"\"<\/a>
FOTO Darlington Transist\u00f6r<\/span><\/figcaption><\/figure>\n

Not:<\/span> <\/strong>\u00c7ok hassas bir devre yapmayacaksan\u0131z g\u00f6r\u00fcnen \u0131\u015f\u0131kta en y\u00fcksek verimlili\u011fe sahip olan\u0131 alman\u0131z yerinde olacakt\u0131r. Fakat IR ile kullanacaksan\u0131z IR ledinizin hangi dalga boyunda \u00e7al\u0131\u015ft\u0131\u011f\u0131n\u0131 \u00f6\u011frenip ona g\u00f6re de fototransist\u00f6r se\u00e7imi yapman\u0131z gerekecek. \u00d6rne\u011fin LED 900nm dalga boyunda, fototransist\u00f6r 950nm dalga boyunda olursa \u00e7al\u0131\u015fmaz m\u0131? \u00c7al\u0131\u015faca\u011f\u0131n\u0131 d\u00fc\u015f\u00fcn\u00fcyorum fakat transistor \u00fcn kazanc\u0131 en y\u00fcksek seviyede olmayacakt\u0131r. Mesela 950nm \u0131\u015f\u0131k ile 1m de \u00e7al\u0131\u015facaksa 900nm dalga boyunda 75 cm civar\u0131nda \u00e7al\u0131\u015fabilir.<\/p>\n

\"\"<\/a>
Ayd\u0131nl\u0131kta \u00e7al\u0131\u015fan r\u00f6le<\/span><\/figcaption><\/figure>\n
\"\"<\/a>
Karanl\u0131kta \u00e7al\u0131\u015fan r\u00f6le<\/span><\/figcaption><\/figure>\n

Fototransist\u00f6rlerin Uygulamalar\u0131<\/span>
\n\u2022 Ayd\u0131nlatma kontrol\u00fc
\n\u2022 Alarm Sistemleri
\n\u2022 Seviye G\u00f6stergeleri
\n\u2022 Yak\u0131nl\u0131k Dedekt\u00f6rleri
\n\u2022 Delikli kart Okuyucular
\n\u2022 Enkoderler<\/p>\n

Bu konu ile alakal\u0131 T\u00dcM dosyalara <\/span>buradan ula\u015fabilirsiniz<\/a><\/strong><\/p>\n

Devrelerde ya da yaz\u0131da, g\u00f6zden ka\u00e7\u0131rd\u0131\u011f\u0131m hatalar varsa l\u00fctfen buradan not b\u0131rak\u0131n ki d\u00fczeltmeleri okuyan arkada\u015flar da g\u00f6rebilsin. Geni\u015f bir konu. Devreler sadece proteusta denendi. Ger\u00e7ek devrede denenirken hatal\u0131 olacaksa L\u00fctfen UYARIN. Ele\u015ftirmekten \u00e7ekinmeyin. Sadece yap\u0131c\u0131 olsun yeter.<\/strong>\u00a0<\/span><\/h3>\n

 <\/p>\n

BJT bipolar transist\u00f6r .al\u0131\u015fmalar\u0131 :<\/strong><\/span>